С помощью пакета PSPICE получены геометрические размеры полевого транзистора с затвором Шоттки, который является основным элементом усилителя. Количество параллельных структур (затворов, истоков, стоков) в данном транзисторе десять. Это позволяет достичь достаточно большого усиления на высоких частотах.
Все размеры транзистора занесены в таблицу 2.1.
Рис.2.2 - Схематическое изображение транзистора Шоттки
Таблица 2.1 - Геометрические размеры полевого транзистора с затвором Шоттки.
Параметры | Значения, мкм |
Толщина пленок | |
толщина металлизации затвора Hmg | 1.2 |
толщина металлизации истока Hms | 1.4 |
толщина металлизации стока Hmd | 1.4 |
Полупроводниковая структура | |
толщина эпитаксиального N - слоя an | 0.1 |
толщина канала под затвором ak | 0.06 |
толщина эпитаксиального N+ - слоя an+ | 0.2 |
Планарные размеры | |
ширина затвора (длина пальца затвора) W | 25 |
длина затвора (ширина пальца затвора) L | 0.2 |
ширина пальцев истока Ls | 20 |
ширина пальцев стока Ld | 20 |
Расстояния | |
расстояние от края затвора до края истока Lsg | 2 |
расстояние от края затвора до края стока Ldg | 2 |
расстояние от края истока до лунки затвора Lsn | 1.75 |
расстояние от края стока до лунки затвора Ldn | 1.75 |
Другие статьи по теме
Исследование динамических характеристик системы автоматического управления При проектировании автоматических систем приходиться решать такие задачи, как обеспечение устойчивости и точности процесса регулирования, имеющие противоречивый характ ...
Характеристики воздушной зоны Богучанского центра органов внутренних дел Гражданская авиация в России выполняет особую роль, являясь, с одной стороны, типичной подотраслью, реализующая транспортные услуги населению и иной клиентуре, а с другой стороны, осущес ...
Построение кодера на основе многочлена Помехоустойчивое кодирование состоит в целенаправленном введении избыточности для того, чтобы появилась возможность обнаруживать и/или исправлять ошибки, возникающие при передаче по кана ...