Нанесение нижней обкладки конденсаторов
1. Нанесение позитивного фоторезиста ФП-РМ-7 на основе резольной и новолачной смол, методом центрифугирования.
. Сушка фоторезиста при температуре 100 С.
. Совмещение и экспонирование методом проецирования (Фотошаблон 5).
. Проявление в растворе тринатрийфосфата Nа3РO4.
. Задубливание фоторезиста при температуре 130 С в несколько этапов, с постепенным повышением температуры до 200 С.
. Напыление первого слоя металлизации Au методом плазмохимического осаждения.
. Удаление фоторезиста обработкой в горячей (70 - 80 ºС) смеси деметилформамида и моноэтаноламина.
Формирование лунок под затвор
1. Нанесение позитивного фоторезиста ФП-РМ-7 на основе резольной и новолачной смол, методом полива.
. Сушка фоторезиста при температуре 100С.
. Совмещение и экспонирование методом проецирования (Фотошаблон 5).
. Проявление в растворе тринатрийфосфата Nа3РO4.
. Задубливание фоторезиста при температуре 130 С в несколько этапов, с постепенным повышением температуры до 200 С.
. Травление потоком химически активных, но нейтральных частиц. К таким частицам относятся свободные радикалы и некоторые короткоживущие молекулярные комплексы, которые возникают в плазме соответствующих газов.
. Удаление фоторезиста обработкой в горячей (70 - 80 ºС) смеси деметилформамида и моноэтаноламина.
Омические контакты
Для формирования контактов используют метод обратной фотолитографии (Фотошаблон 3):
. Нанесение позитивного фоторезиста ФП-РМ-7 на основе резольной и новолачной смол, методом центрифугирования.
. Сушка фоторезиста при температуре 100С.
. Совмещение и экспонирование методом проецирования (Фотошаблон 3).
. Проявление в растворе тринатрийфосфата Nа3РO4.
. Задубливание фоторезиста при температуре 130 С в несколько этапов, с постепенным повышением температуры до 200 С.
. Наносят слой Au методом ионно-плазменного осаждения, этот слой и будет являться омическими контактами.
. Удаление фоторезиста обработкой в горячей (70 - 80 ºС) смеси деметилформамида и моноэтаноламина.
. Вплавление контактов.
Первая металлизация
1 Нанесение позитивного фоторезиста ФП-РМ-7 на основе резольной и новолачной смол, методом полива.
Сушка фоторезиста при температуре 100 С.
Совмещение и экспонирование методом проецирования (Фотошаблон 7).
Проявление в растворе тринатрийфосфата Nа3РO4.
Задубливание фоторезиста при температуре 130 С в несколько этапов, с постепенным повышением температуры до 200 С.
Напыления первого слоя металлизации методом плазмохимического осаждения.
Удаление фоторезиста обработкой в горячей (70 - 80 ºС) смеси деметилформамида и моноэтаноламина.
Вторая металлизация
1. Нанесение позитивного фоторезиста ФП-РМ-7 на основе резольной и новолачной смол, методом центрифугирования.
. Сушка фоторезиста при температуре 100 С.
. Совмещение и экспонирование методом проецирования (Фотошаблон 9).
. Проявление в растворе тринатрийфосфата Nа3РO4.
. Задубливание фоторезиста при температуре 130 С в несколько этапов, с постепенным повышением температуры до 200 С.
. Напыление второго слоя металлизации Au методом плазмохимического осаждения.
. Удаление фоторезиста обработкой в горячей (70 - 80 ºС) смеси деметилформамида и моноэтаноламина.
Нанесение диэлектрика
Al
2
O
3
Материал диэлектрика Al2O3. Нанесение методом плазмохимического осаждения при температуре 300 С в течение 100 секунд (Фотошаблон 9). Перейти на страницу: 1 2
Другие статьи по теме
Цифровизация участка первичной сети связи Развитие науки и техники способствовало развитию телекоммуникационных сетей как всего мира, так и Украины. Передача мультимедийного трафика на первичной сети связи Украины осуществляется ...
Характеристики воздушной зоны Богучанского центра органов внутренних дел Гражданская авиация в России выполняет особую роль, являясь, с одной стороны, типичной подотраслью, реализующая транспортные услуги населению и иной клиентуре, а с другой стороны, осущес ...
Анализ систем видеонаблюдения Система видеонаблюдения - система аппаратно-программных средств, с целью видеонаблюдения. Сегодня системы видеонаблюдения являются одним из самых эффе ...