Толщина звена при однополярном наборе
Определяем общую толщину МПП при структуре Т - СЕ - ЕССЕ - ЕС - Т.
Рассчитываем оптимальную толщину
Толщина, определяемая качеством монтажа микросхемы
Возможность реализации МПП с полученными структурами с заданными электрическими характеристиками
Условия реализации МПП выполнены.
Рисунок к примеру расчета МПП для структуры Т - СЕ - ЕССЕ - ЕС - Т.
Приложение
Таблица 3
Количество сигнальных слоев NC | Количество потенциальных слоев NE | |||||
1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | |
1 | СЕ | ЕСЕ | ||||
2 | ССЕ | ЕССЕ СЕ-ЕС | СЕ-Е-ЕС | СЕ-Е-Е-ЕС | СЕ-Е-Е-Е-ЕС | СЕ-Е-Е-Е-Е-ЕС |
3 | ССЕ-ЕС | ССЕ-Е-ЕС | ССЕ-Е-Е-ЕС СЕ-ЕСЕ-ЕС | ССЕ-Е-Е-Е-ЕС СЕ-Е-ЕСЕ-ЕС | ССЕ-Е-Е-Е-Е-ЕС СЕ-Е-ЕСЕ-Е-ЕС | |
4 | ССЕ-ЕСС | ССЕ-Е-ЕСС | ССЕ-Е-Е-ЕСС СЕ-ЕСЕ-ЕСС СЕ-ЕССЕ-ЕС | ССЕ-Е-Е-Е-ЕСС СЕ-Е-ЕСЕ-ЕСС СЕ-Е-ЕССЕ-ЕС | ССЕ-Е-Е-Е-Е-ЕСС СЕ-Е-ЕСЕ-Е-ЕСС СЕ-Е-ЕССЕ-Е-ЕС СЕ-ЕСЕ-ЕСЕ-ЕС | |
5 | СЕ-ЕССЕ-ЕСС ССЕ-ЕСЕ-ЕСС | СЕ-Е-ЕССЕ-ЕСС ССЕ-Е-ЕСЕ-ЕСС | СЕ-Е-ЕССЕ-Е-ЕСС ССЕ-Е-ЕСЕ-Е-ЕСС СЕ-ЕСЕ-ЕСЕ-ЕСС СЕ-ЕСЕ-ЕССЕ-ЕС | |||
6 | ССЕ-ЕССЕ-ЕСС | ССЕ-Е-ЕССЕ-ЕСС | ССЕ-Е-ЕССЕ-Е-ЕСС СЕ-ЕСЕ-ЕСЕ-ЕСС СЕ-ЕССЕ-ЕСЕ-ЕСС СЕ-ЕССЕ-ЕССЕ-ЕС ССЕ-ЕСЕ-ЕСЕ-ЕСС | |||
7 | СЕ-ЕССЕ-ЕССЕ-ЕСС ССЕ-ЕСЕ-ЕССЕ-ЕСС | |||||
8 | ССЕ-ЕССЕ-ЕССЕ-ЕСС |
Другие статьи по теме
Исследование биполярного транзистора в статическом режиме Биполярным транзистором называют трёхслойную полупроводниковую структуру с чередующимися типом проводимости областей, созданную в едином кристалле и образующую два встречно включённых вз ...
Изучение основных возможностей программы Electronics Workbench Цель работы: ознакомиться со средой моделирования электронных схем Electronics Workbench, провести анализ генератора Колпитца, исследовать характеристики биполярного транзистора, изучить с ...
Генератор линейно возрастающего напряжения Электроника является универсальным и исключительно эффективным средством при решении самых различных проблем в области сбора и преобразования информации, автоматического и автоматизиров ...