Толщина звена при однополярном наборе

Определяем общую толщину МПП при структуре Т - СЕ - ЕССЕ - ЕС - Т.

Рассчитываем оптимальную толщину

Толщина, определяемая качеством монтажа микросхемы

Возможность реализации МПП с полученными структурами с заданными электрическими характеристиками

Условия реализации МПП выполнены.

Рисунок к примеру расчета МПП для структуры Т - СЕ - ЕССЕ - ЕС - Т.

Приложение

Таблица 3

Количество сигнальных слоев NC	Количество потенциальных слоев NE
	1	2	3	4	5	6
1	СЕ	ЕСЕ
2	ССЕ	ЕССЕ СЕ-ЕС	СЕ-Е-ЕС	СЕ-Е-Е-ЕС	СЕ-Е-Е-Е-ЕС	СЕ-Е-Е-Е-Е-ЕС
3		ССЕ-ЕС	ССЕ-Е-ЕС	ССЕ-Е-Е-ЕС СЕ-ЕСЕ-ЕС	ССЕ-Е-Е-Е-ЕС СЕ-Е-ЕСЕ-ЕС	ССЕ-Е-Е-Е-Е-ЕС СЕ-Е-ЕСЕ-Е-ЕС
4		ССЕ-ЕСС	ССЕ-Е-ЕСС	ССЕ-Е-Е-ЕСС СЕ-ЕСЕ-ЕСС СЕ-ЕССЕ-ЕС	ССЕ-Е-Е-Е-ЕСС СЕ-Е-ЕСЕ-ЕСС СЕ-Е-ЕССЕ-ЕС	ССЕ-Е-Е-Е-Е-ЕСС СЕ-Е-ЕСЕ-Е-ЕСС СЕ-Е-ЕССЕ-Е-ЕС СЕ-ЕСЕ-ЕСЕ-ЕС
5				СЕ-ЕССЕ-ЕСС ССЕ-ЕСЕ-ЕСС	СЕ-Е-ЕССЕ-ЕСС ССЕ-Е-ЕСЕ-ЕСС	СЕ-Е-ЕССЕ-Е-ЕСС ССЕ-Е-ЕСЕ-Е-ЕСС СЕ-ЕСЕ-ЕСЕ-ЕСС СЕ-ЕСЕ-ЕССЕ-ЕС
6				ССЕ-ЕССЕ-ЕСС	ССЕ-Е-ЕССЕ-ЕСС	ССЕ-Е-ЕССЕ-Е-ЕСС СЕ-ЕСЕ-ЕСЕ-ЕСС СЕ-ЕССЕ-ЕСЕ-ЕСС СЕ-ЕССЕ-ЕССЕ-ЕС ССЕ-ЕСЕ-ЕСЕ-ЕСС
7						СЕ-ЕССЕ-ЕССЕ-ЕСС ССЕ-ЕСЕ-ЕССЕ-ЕСС
8						ССЕ-ЕССЕ-ЕССЕ-ЕСС

Перейти на страницу: 1 2 3 4 5

Другие статьи по теме

Исследование биполярного транзистора в статическом режиме Биполярным транзистором называют трёхслойную полупроводниковую структуру с чередующимися типом проводимости областей, созданную в едином кристалле и образующую два встречно включённых вз ...

Изучение основных возможностей программы Electronics Workbench Цель работы: ознакомиться со средой моделирования электронных схем Electronics Workbench, провести анализ генератора Колпитца, исследовать характеристики биполярного транзистора, изучить с ...

Генератор линейно возрастающего напряжения Электроника является универсальным и исключительно эффективным средством при решении самых различных проблем в области сбора и преобразования информации, автоматического и автоматизиров ...