Длительность
операции - 30минут
Оборудование - печь для сушки пластин
. Экспонирование (первый шаблон)
Оборудование - EVG - 420
Aligner
Дополнительное
оборудование - комплект шаблонов
Держатель - металлический зажим
. Проявление фоторезиста
Проявитель - MF - 319
Фоторезист - Shipley 1813
Температура - 25оС
Оборудование - Ванна для проявления
Дополнительное
оборудование - тефлоновые подставки, тефлоновые держатели
. Сушка проявленного фоторезиста
Параметры операции и оборудование:
Среда- воздух
Давление - атмосферное
Температура- 110оС
Время операции - 30 мин.
Оборудование - Печь для сушки пластин
Дополнительное
оборудование - металлические держатели
IX. Травление поликремния (PolySi) по второму шаблону
. Травление поликремния
Глубина травления - 0,1 - 2 мкм
Среда - хлор
Аспектное соотношение - 10:1
Скорость травления - 0,35мкм/мин
Материал - поликремний
Давление - 400*10-5
Температура - 80оС
Диаметр пластин - 100 мм
Держатель - зажим из нержавеющей стали
Толщина пластины - 200 - 500 мкм
X. Травление жертвенного слоя SiO2
Компоненты модуля:
Глубина травления - 0,1 - 2 мкм
Технологическая
среда - фреон
Скорость травления - 0,5 мкм/мин
Аспектное соотношение
(глубина отверстия/диаметр) - 10:1
Давление - 2,8*10-2 Па
Температура процесса - 120оС
Селективность процесса- средняя
Оборудование - плазмохимический реактор TEGAL 803
Дополнительное оборудование - алюминиевый зажим
.4 Технологический маршрут изготовления микроакселерометра
Рисунок 2.1. Химическая очистка Si
Рисунок 2.2. Осаждение Si3N4 (диэлектрик)
Рисунок 2.3. Осаждение SiO2 (жертвенный слой)
Рисунок 2.4. Фотоэкспонирование и проявление фоторезиста
Рисунок 2.5. Травление окон в SiO2
Рисунок 2.6. Осаждение поликремния
Рисунок 2.7. Фотолитография конструкции (экспонирование, проявление ФР)
Рисунок 2.8. Травление поликремния
Рисунок 2.9. Удаление жертвенного слоя SiO2 Перейти на страницу: 1 2 3
Другие статьи по теме
Информационно-измерительная система Целью данной курсовой работы является анализ информационно-измерительной системы (ИИС), определение типа топологии и оптимального пространственного расположения объектов ИИС, при которо ...
Использование среды Cadence Virtuoso для проектирования интегральных микросхем Принятая на сегодняшний день модель развития промышленности предполагает широкую роботизацию‚ создание гибких автоматизированных производств и отводит особое место микроэлектронике как с ...
Исследование звуковой системы ПК с помощью диодной пластины С ростом популярности беспроводных технологий расширяется и сфера их применения. В дипломной работе рассмотрено решение, построенное на принципе передачи медиаданных по беспроводным кан ...